项目名称

高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目

项目批准文件及文号

2511-421172-04-01-304435

主要建设内容

项目用地面积26666.7㎡，拟新建厂房、原辅料库、研发中心、大宗气站、化学品库等共14674㎡，购置砷化镓主要工艺设备771台及石英管生产主要工艺设备21台，搬迁原有设备379台，建设一条年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片产线及一条年产3万套半导体级4-6英寸石英管生产线。

招标项目

序号

标段（包）名称

招标内容

招标方式

招标文件计划

发布时间

拟交易场所

投资估算

（万元）

计划招标时间

1

高品质砷化镓晶片EPC项目（一期）

施工总承包

公开招标

2025年12月

黄冈市公共资源交易中心

5500

2025年12月

备注

招标计划发布内容仅作为潜在投标人提前了解招标人初步招标计划安排的参考，招标项目实际内容以招标人最终发布的招标公告和招标文件为准。